恋男乱女笨蛋英子 - 恋男乱女笨蛋英子：三星电子去年研发及设施投资超过600亿美元 半导体是重点

恋男乱女笨蛋英子 - 3月11日消息，据外媒报道，三星电子当地时间周二披露，恋男乱女笨蛋英子芯片竞争中的优势，他们去年在研发和设施方面的投入，同比都有增加。从外媒的报道来看，三星电子披露他们去年在研发方面的投入为37.7万亿韩元，折合约256亿美元，高于此前一年的35万亿韩元，同比增长7.8%。在设施方面，三星电子披露他们去年的投入为52.7万亿韩元，折合约358亿美元，较他们此前计划的投入高出了5万亿韩元。三星电子方面提到，他们去年在研发方面大力投入，恋男乱女笨蛋英子领域半导体，包括高带宽存储器和大容量DDR5，需求激增的战略举措之一。对于在设施方面的投资，三星电子透露是用于打造下一代的半导体工厂、研发基地等。